Совместное предприятие Intel и Micron по производству чипов флэш-памяти (IM Flash Tech) продолжает внедрять новые технологии. На этот раз производители анонсировали сверхтонкий 20-нанометровый техпроцесс для производства чипов. Разработка позволит создавать экономичные накопители общей емкостью 8 Гб на основе технологии MLC NAND (многоуровневая флэш-память).

20-нанометровые чипы сохраняют производительность доступных в настоящий момент 25-нанометровых моделей. Тем не менее новая память занимает заметно меньше места и позволяет фабрикам производить на 50% больше «гигабайт». 20-нанометровые чипы позволяют разместить накопитель емкостью 8 Гб на площади 118 квадратных миллиметров ― задействованное пространство уменьшается на 30-40% по сравнению с площадью, занимаемой 25-нанометровыми чипами. Благодаря подобным изменениям производители компактной техники смогут устанавливать более емкие аккумуляторы и другие компоненты внутри своих устройств.

Ожидается, что полномасштабное производство 20-нанометровой флэш-памяти на заводах IM Flash Tech начнется во второй половине 2011 года. Примерно в то же время компании представят накопители емкостью до 128 Гб, занимающие площадь обычной американской почтовой марки.